品牌： ST(意法半导体)
封装： TO-247-3
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1.5kV 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7Ω@10V,2A
本公司现有原装现货库存5K，
STW4N150场效应管(MOSFET
摘要
STW4N150场效应管(MOSFET
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