STW4N150场效应管(MOSFET
发布时间:2023-8-4 9:50:00
STW4N150场效应管(MOSFET,品牌: ST(意法半导体) 封装: TO-247-3 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.5kV 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,I[详情]
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发布时间:2023-7-24 10:35:00
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发布时间:2023-4-25 10:36:00
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发布时间:2023-4-24 14:35:00
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发布时间:2023-4-24 14:27:00
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发布时间:2023-4-12 10:51:00
ZXMP10A18GTA场效应管(MOSFET) ,类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,2.8A This new [详情]
发布时间:2023-4-7 15:05:00
NRSEC3000安全芯片,1.1 芯片概述 处理器: 本安全芯片采用32位嵌入式RISC架构的CPU,特点是低功耗、高 性能、高代码密度,具有独立的存储器保护单元(MPU)和存储器加密单元 (MEU)。 加密算法:芯片内部实现了**商[详情]
发布时间:2023-3-28 10:10:00
FDD9509L-F085场效应管(MOSF,P 沟道,PowerTrench MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ P 沟道,PowerTrench MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ[详情]
发布时间:2023-3-27 17:48:00
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发布时间:2023-3-27 11:07:00
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发布时间:2023-3-25 10:43:00
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TPS7A1601QDGNRQ1,用于电动工具的高电池数电池组和其他电池供电微处理器微控制器系统汽车音响、导航、信息娱乐和其他汽车系统笔记本电脑、数字电视、 和专用局域网系统烟雾或二氧化碳探测器和电池供电[详情]
发布时间:2023-9-1 10:16:00
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发布时间:2023-4-24 15:24:00
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